ساخت بلورها و پولک‌ها با استفاده از ترکیبات GaAs و GaN

ساخت بلورها و پولک‌ها

ساخت نیمرسانا با استفاده از ترکیبات GaAs و GaN

ترانزیستورهای ناهمگن (HBT) با AlGaAs/GaAs و ترانزیستورهای HEMT با AlGaAs/GaAs بر پایه GaN

تهیه و تنظیم: دکتر غلامحسین سدیر عابدی

فصل 1

سیلیکون، سیلیسیوم

فصل 2

گالیوم آرسناید GaAs

فصل 3

رشد گالیوم آرسناید GaAs

فصل 4

ترانزیستورهای دو قطبی پیوندگاه ناهمگن Heterojunction Bipolar Transistor

فصل 5

ویژگی های ماده برای ساختارهای ناهمگن، نانو ساختار، آلایش، سطح و ایجاد دریچه

فصل 6

 ترانزیستورهای تحرک الکترونی بالا High Electron Mobility Transistor

   ( HEMT )

تعداد صفحات: 54

قالب: PDF

قیمت 5000 تومان

پرداخت  هزینه این پژوهش