ساخت بلورها و پولکها
ساخت نیمرسانا با استفاده از ترکیبات GaAs و GaN
ترانزیستورهای ناهمگن (HBT) با AlGaAs/GaAs و ترانزیستورهای HEMT با AlGaAs/GaAs بر پایه GaN
تهیه و تنظیم: دکتر غلامحسین سدیر عابدی
فصل 1
سیلیکون، سیلیسیوم
فصل 2
گالیوم آرسناید GaAs
فصل 3
رشد گالیوم آرسناید GaAs
فصل 4
ترانزیستورهای دو قطبی پیوندگاه ناهمگن Heterojunction Bipolar Transistor
فصل 5
ویژگی های ماده برای ساختارهای ناهمگن، نانو ساختار، آلایش، سطح و ایجاد دریچه
فصل 6
ترانزیستورهای تحرک الکترونی بالا High Electron Mobility Transistor
( HEMT )
تعداد صفحات: 54
قالب: PDF
قیمت 5000 تومان